2013年10月12日，中科院前沿局組織專家在中科院嘉興對微電子所承擔的院知識創(chuàng)新工程重要方向項目“等離子體浸沒離子注入制備黑硅及太陽電池技術(shù)研究”進行了現(xiàn)場驗收。專家組由來自上海交通大學、中山大學、浙江大學、蘇州納米所等八家單位的專家組成。前沿局劉桂菊副局長、微電子所陳大鵬副所長、項目負責人夏洋研究員及項目組骨干等出席了會議，會議由前沿局技術(shù)科學處趙慧斌副處長主持。 

　　該項目創(chuàng)新性地采用等離子體浸沒離子注入方法制備黑硅，制備的多晶硅片反射率低至1%（在可見光波段內(nèi)），表面微觀結(jié)構(gòu)和反射率可控。通過系統(tǒng)研究，研制的多晶黑硅電池轉(zhuǎn)換效率最高達18.3%。小批量試產(chǎn)表明工藝穩(wěn)定。 

　　專家組認真聽取了項目負責人的匯報，審閱了項目組提交的驗收材料，經(jīng)過充分討論、質(zhì)詢和評議后，一致同意該項目通過驗收，并對項目組取得的研究成果給予高度評價，認為該項目的完成將對現(xiàn)有晶硅太陽能電池生產(chǎn)線實現(xiàn)升級優(yōu)化，提升我國太陽能電池裝備領(lǐng)域的技術(shù)水平，將為我國光伏產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展、升級提供必要的技術(shù)積累，具有前瞻性和深遠的戰(zhàn)略意義。 

驗收會現(xiàn)場